清洗液

用于集成电路制造中，，，金属铜后清洗的碱性配方型清洗液
，
，，能有效去除表面颗粒、、、有机物及金属污染物，，，，并兼具铜保护功能
，，已在存储器件与逻辑器件量产中使用。。

产品清洗效果优异
，，，，安全性能高，，，Q-time较高，，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中，，金属铜及金属钨CMP后清洗的酸性配方型清洗液，，，，应用覆盖多个工艺节点，，，，能有效去除表面颗粒、、、有机物及金属污染物。。
。

产品清洗效果优异，
，，
，安全性能高，，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中，，，金属钨和氮化硅CMP后清洗的配方型清洗液，，
，在涉及多重材料界面的CMP后清洗工艺中具有良好的清洁表现。。。产品已在逻辑器件量产中使用。。

产品对W
、、
、
、SiN、、、、TEOS、、TiN和Co等多种材料具有良好的兼容性及清洗效果

用于集成电路制造中，
，，，金属钨清除沾污的酸性配方型清洗液，
，旨在针对抛光垫表面清洁
，，用于降低金属栅极工艺的沾污程度。
。

产品对W、、、、SiN
、
、、、Co、、、、Al
、、Ti、
、TiN具有极低的腐蚀速率及良好的清洗效果

用于集成电路制造中，
，金属钨CMP后清洗的弱酸型清洗液
，，，，主要用于金属栅极清洗
，，已在逻辑器件量产中使用。。
。

产品在W和TEOS表面拥有很好的清洗性能，，，，同时对W、、
、、SiN、、TEOS、、TiN以及Co拥有良好的材料兼容性。。

用于集成电路制造中，，
，，金属铝CMP后清洗的酸性清洗液，，，
，具有良好的清洁表现及极低的缺陷率，，，，已在逻辑器件量产中使用。。

产品清洗效果优异，，
，，与Al、、、、TEOS等多种材料兼容性佳，，，，对铝的腐蚀速率较低
。
。

用于集成电路制造中，，，多晶硅和氮化硅 CMP后清洗的配方型清洗液，，应用于抛光垫表面，
，能有效去除表面颗粒污染物，
，已在逻辑器件量产中使用。。

产品兼容Poly-Si、、SiN和TEOS，，
，可以适用于STI、、、ILD
、、
、ILD0以及Poly等制程的辅助清洗