清洗液

用于集成电路制造中
，，金属铜后清洗的碱性配方型清洗液，，能有效去除表面颗粒、、
、、有机物及金属污染物，，，
，并兼具铜保护功能，，已在存储器件与逻辑器件量产中使用。。。

产品清洗效果优异，，，
，安全性能高，，Q-time较高，，
，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中
，，金属铜及金属钨CMP后清洗的酸性配方型清洗液，，，
，应用覆盖多个工艺节点，，，
，能有效去除表面颗粒、、、有机物及金属污染物。。。

产品清洗效果优异，，安全性能高，，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中，，金属钨和氮化硅CMP后清洗的配方型清洗液
，，
，，在涉及多重材料界面的CMP后清洗工艺中具有良好的清洁表现。。产品已在逻辑器件量产中使用。。。

产品对W、、SiN、、TEOS、、
、TiN和Co等多种材料具有良好的兼容性及清洗效果

用于集成电路制造中，，，金属钨清除沾污的酸性配方型清洗液，，，，旨在针对抛光垫表面清洁，，，，用于降低金属栅极工艺的沾污程度。。。。

产品对W
、、SiN、、、
、Co、、
、
、Al、、、Ti
、、TiN具有极低的腐蚀速率及良好的清洗效果

用于集成电路制造中，
，金属钨CMP后清洗的弱酸型清洗液，，
，主要用于金属栅极清洗，，，，已在逻辑器件量产中使用
。。

产品在W和TEOS表面拥有很好的清洗性能，
，同时对W、、、SiN
、、TEOS、、、TiN以及Co拥有良好的材料兼容性。。
。。

用于集成电路制造中，，金属铝CMP后清洗的酸性清洗液，
，具有良好的清洁表现及极低的缺陷率，，，已在逻辑器件量产中使用。。。。

产品清洗效果优异，，与Al、、、TEOS等多种材料兼容性佳，，对铝的腐蚀速率较低。。

用于集成电路制造中，，
，
，多晶硅和氮化硅 CMP后清洗的配方型清洗液，，，应用于抛光垫表面，，，能有效去除表面颗粒污染物
，，，，已在逻辑器件量产中使用
。。。。

产品兼容Poly-Si、
、
、、SiN和TEOS，，，，可以适用于STI、、
、、ILD
、
、、、ILD0以及Poly等制程的辅助清洗