产品详情
| 产品 | 产品介绍 | 分类 | 关键性能描述 |
| DP53XX、、、、DP55XX、、DP59XX系列 | 用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除和平坦化，，，具有高多晶硅去除速率，，，高稀释比、、、低缺陷率的特点。。产品已经在存储器件量产中使用。。。。 | 多晶硅抛光液 | 固含量4%-20%； 粒径：60-200 nm； Poly/OX移除选择比高 |
| DP54XX、、、DP56XX、、DP58XX系列 | 用于集成电路制造工艺中多场景的氮化硅薄膜去除和平坦化，，具有碟形效应修复能力强，，，，栅极高度精准控制的优点，，，，在逻辑器件制造中广泛应用。。 | 氮化硅抛光液 | 固含量2%-20%； 粒径：50-100 nm； SiN/OX移除选择比适中 |
| ZX系列 | 用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，，具有高去除速率，，，高稀释比、、、低缺陷率的特点。。。产品已经在存储器件量产中使用。。。 | 介电材料抛光液 | 固含量3%-20%，，， 粒径80-150nm，，， OX薄膜移除率高 |
| DP6XXX系列 | 在集成电路制造中，，，，用于硅片表面化学机械抛光(CMP)，，有去除速率高，，，，表面缺陷率低的特点。。 | 硅衬底抛光液 | 固含量2%-20%； 粒径：50-100 nm； Si移除率高； 晶圆缺陷率低 |
| DW6XXX系列 | 搭载自产氧化铝研磨粒子，，，用于逻辑器件制造工艺中金属钨栅极材料的去除和平坦化，，具有高平坦化效率，，高选择比，，，低缺陷率的特点，，，已在逻辑器件量产中使用。。。 | 钨栅极抛光液 | 固含量0.01%-0.3%，， 粒径60-120nm，，，W，，，，TiN，，，OX 移除率均可满足定制化需求，，W/OX 移除选择比高 |
| DW3XXX、、DW5XXX系列 | 用于集成电路制造工艺中金属钨材料的去除和平坦化，，，，选择比可控，，满足选择比定制需求，，，低缺陷率，，已经在逻辑器件量产中使用。。。 | 钨抛光液 | 固含量1%-10%，， 粒径60-100nm，， W，，，，TiN，，，OX 移除率均可满足定制化需求，，，W/OX 移除选择比适中 |
| DB系列 | 用于集成电路制造铜互连工艺中阻挡层的去除和平坦化，，选择性抛光铜与阻挡层，，，，高平整度、、、、低缺陷，，，低腐蚀或碟形凹陷。。 | 铜阻挡层抛光液 | 固含量5~25%，，，， 粒径20-150nm，，，，Cu，，OX，，，，BD，，Ta，，TaN，，SiN等薄膜移除率可根据需求定制 |
| DC系列 | 用于集成电路制造工艺中金属铜的去除和平坦化，，，，具有高去除速率，，，，高稀释比，，，，低缺陷等特点。。。。 | 铜抛光液 | 固含量0.5%-2%，，，粒径30-120nm；Cu移除率高；Cu/OX移除选择比低 |
| ZA系列 | 搭载自产氧化铝研磨粒子，，，用于集成电路制造工艺中金属铝栅极材料的去除和平坦化修复，，，具有高平坦化效率，，，高选择比，，，低缺陷率的特点。。产品已经在逻辑器件制造中使用。。。。 | 铝栅极抛光液 | 固含量0.5%-2%，，粒径60-120nm，，，Al ，，TiN，，，OX等薄膜移除率可根据需求定制，，，Al/OX 移除选择比高 |
| DS系列 | 搭载自产氧化铈研磨粒子，，，，用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，，，，STI结构的构建中。。。。具有高氧化硅去除速率，，，，高平坦化效率、、、低碟形效应、、、、低缺陷率的特点。。。 | 氧化铈抛光液 | 固含量0.5%-5%，，，，粒径80-150nm，，，OX移除率可根据需求定制，，OX/SiN移除选择比高 |
| DLS系列 | CMP slurry中的核心原料，，，，金属杂质含量低，，，广泛用于前段工艺及高要求的金属互连工艺。。。具有硬度低，，，，晶圆缺陷率低的特点。。。 | 超纯硅磨料 | 固含量15%-21%，，粒径35-180nm；pH 6.5~8.6；各项金属杂质＜20ppb；可订制磨料颗粒所带电荷 |
| DLSB系列 | 用于集成电路制造工艺中各制程中slurry设计，，，，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，，可用作快速去除与选择比控制高的场景。。。。 | 高纯硅磨料 | 固含量20-50%; 粒径20~150nm; pH 8~11;莫氏硬度~6 |
关键词：抛光液
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抛光液
抛光液是一种颗粒分布匀散的胶体,可使硅片表面产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光目的。。通常抛光液的流速、、、、粘度、、、温度、、、、成分、、pH值等都会对去除效果有影响。。。。
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